二次电子像分辨率：1.0nm@30kV, 1.2nm@15kV。 背散射电子像分辨率：2.0nm@30kV。 加速电压: 200V～30kV，任意连续可调 束流大小: 2pA-200nA 五种观察影像模式: 分辨率模式；景深模式；视野模式；大视野模式；Channeling模式，方便寻找样品位置 电镜检测器: 高真空二次电子检测器(SE)、极靴内二次电子检测器(In-Beam)、极靴内背散射电子检测器(In-Beam BSE)、低能背散射电子探测器(LE-BSE)、样品室红外CCD探测器 能谱仪：探头面积80 mm2 SDD，能量分辨率 125eV（Mn Ka），元素检测范围 Be4-Pu94 EBSD：花样平均角度偏差MAD≤0.5，EBSD在线标定解析速度：640点/秒(8×8 binning)
样品中不得含有水分。 样品高度小于50mm，直径小于60mm。 多孔类或易潮解的样品，请提前真空干燥处理。 样品应具有导电性。若样品不导电，需要进行镀金、碳等导电膜的处理（本中心也提供镀膜服务，但需要另行收费）。
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